EDRAM (tai e mbedded D ynaaminen R andom ccess M uisti) ( laivalla DRAM ranskaksi) on DRAM- tyyppinen muisti perustuu kondensaattorit integroitu samalle piiri ASIC ( Application-Specific Integrated Circuit tai Ranskan sovelluskohtaisia integroituja piiri ) tai prosessori . Tämä muisti eroaa tavallisesta DRAM- muistista, jossa sirussa on vain muistitoiminto. Tällaisen muistin bittihinta on suurempi kuin tavallisen DRAM-muistin hinta, mutta monissa sovelluksissa muistin sijoittamisen samalle piirille prosessorin edut ovat suuremmat kuin lisäkustannukset.
Muistin sijoittaminen samalle piirille kuin ASIC tai prosessori sallii paljon suuremman väylän käytön ja suuremmat toimintanopeudet. Lisäksi, koska eDRAM-muistin tiheys on suurempi kuin SRAM-muistissa, eDRAM-muisti sallii suuremman muistimäärän pinta-alayksikköä kohden. EDRAM-muisti vaatii enemmän valmistusvaiheita kuin SRAM, mikä lisää kustannuksia. Toisaalta tilansäästö, joka on suuruusluokkaa 3, kompensoi valmistuskustannukset, kun käytetään paljon muistia.
EDRAM, kuten kaikki DRAMit, on päivitettävä säännöllisesti, mikä lisää sen ympärillä olevien piirien monimutkaisuutta. Toisaalta, jos uudelleenkirjoituksen ohjain on upotettu samalle piirille kuin eDRAM-muisti, loput ASIC-piiristä tai prosessoripiiristä voivat käsitellä eDRAM-muistia yksinkertaisena SRAM-muistina, kuten 1T-SRAM- muistin tapauksessa .
EDRAM muistia käytetään prosessorit POWER7 d.IBM kuin kansi L3, prosessori Haswell on Intelin prosessorin kanssa Graphics GT3e useissa pelikonsoleita (kuten PlayStation 2 on Sony , The PlayStation Portable ja Sony , The GameCube alkaen Nintendo , The Wii alkaen Nintendo , The Wii U alkaen Nintendo ja Xbox 360 välillä Microsoft ) ja muut laitteet (mukaan lukien iPhone ja Apple ja Zune HD maasta Microsoft ).